share_log

赛晶科技(0580.HK):IGBT新起之秀

賽晶科技(0580.HK):IGBT新起之秀

方正證券 ·  2021/07/30 00:00

深耕電力電子器件製造。賽晶科技傳統業務爲電力電子器件製造,主要應用於輸配電、電氣化交通、工業及其他領域。輸配電領域,公司陽極飽和電抗器已應用到國內40 多個特高壓直流項目中。電氣化交通領域,中國中車集團、比亞迪,是賽晶長期的合作伙伴。工業及其他領域應用包括工業電解冶金、化工、採礦等行業的電能應用。

召集國際一流技術團隊,佈局IGBT 應用。公司2018 年開始研發電動汽車用IGBT;2019 年啓動IGBT 研發生產項目,併成立瑞士SwissSEM、浙江賽晶半導體公司;2020 年公司發佈首款自研產品1200V/250A 的i20 IGBT 芯片和1200V/750A 的ED-TypeIGBT 模塊,同時啓動生產線建設。公司IGBT 應用主要面向電動汽車、新能源發電和工業電控市場,技術研發團隊來自國際一流廠商ABB,管理團隊也來自英飛凌等行業領先企業。

首款IGBT 芯片Q4 進入穩定量產,下一代車載IGBT 模塊發佈。

今年6 月份,公司IGBT 產線正式竣工,i20 芯片進入試生產階段,預計今年Q4 步入穩定量產階段。公司的i20 芯片優於其他國際主流廠商的第4 代芯片。同時,公司繼續發佈下一代車載單面冷卻IGBT 模塊EV-Type 模塊。新模塊包含兩個1200V/250A芯片組,電流密度高,但尺寸僅爲ED-Type 模塊的1/3。

聚焦IGBT 背面工藝和封測,規劃7 條IGBT 產線。IGBT 芯片製造環節分爲正面工藝和背面工藝,正面工藝比較標準,主要爲光刻;背面工藝爲特色工藝,包括離子注入、退火和剪包,對IGBT 芯片的性能具有決定性作用。公司IGBT 項目總投資52.5億元,一期投資17.5 億元,規劃建設2 條IGBT 芯片背面工藝生產線、5 條IGBT 模塊封裝測試生產線,建成後年產能200 萬件IGBT 模塊產品,後期公司還將繼續完善自己的芯片背面線。

新產品持續研發設計中,未來前景可期。公司基於爲溝槽技術的i21 代IGBT 芯片正在研發設計中,目標達到第七代IGBT 的技術水平。此外,公司碳化硅產品佈局也正在啓動中,第一步聚焦碳化硅模塊,預計明年推出第一代產品;第二步更進一步到碳化硅芯片,規劃3-4 年後推出相關產品。

盈利預測: 我們預計公司2021-2023 年營業收入分別爲11.5/13.5/15.6 億元,歸母淨利潤分別爲0.3/1.0/2.2 億元,首次覆蓋,給予“推薦”評級。

風險提示:(1)產品研發不及預期;(2)產品市場開拓不及預期;(3)產能緊缺影響出貨;(4)估值假設和盈利預測的不可實現性。

譯文內容由第三人軟體翻譯。


以上內容僅用作資訊或教育之目的,不構成與富途相關的任何投資建議。富途竭力但無法保證上述全部內容的真實性、準確性和原創性。
    搶先評論