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在今年的SPIE 大会上，ASML 新任首席执行官 Christophe Fouquet 发表了精彩的开幕/主题演讲，重点关注High NA EUV。
显然，High NA EUV 不太可能像最初的 EUV 那样出现延迟。我们应该期待它相对快速地推出和采用，因为高 NA 更像是 EUV 的“升级”，而不是一个全新的产品。
Christophe 谈到了在客户现场组装扫描仪子组件的新方法，而不是在 ASML 组装它们，然后在客户现场将它们拆开并重新组装。
这种方法已经在不太复杂的蚀刻工具和类似工具上实施了一段时间，但使用高复杂度的光刻工具则完全是另一回事。但它将节省大量时间和金钱。这将加速High NA 的进程。
常规 EUV 工具和High NA 工具之间唯一真正的区别是透镜堆栈，因此如果您设计一个透镜堆栈位于中间的工具，您可以将常规 EUV 透镜、High NA 透镜或Hyper NA 透镜换入同一个基本工具中。
它具有大量的通用性、更多的成本节约、简单性等等。ASML 采用的模块化方法支持这种方法。
这显然将有助于降低成本、减少利润并缩短安装时间。
演示中还提到，ASML 在圣地亚哥已拥有稳定的 740 瓦电源，并且有望实现 1000 瓦的供电。
总而言之，克里斯托夫在执掌后首次公开露面中表现非常出色。他的整体表现很棒。
将掩模尺寸从 6 英寸 X 6 英寸增加一倍至 6 英寸 X 12 英寸的想法是英特尔在去年的 SPIE 上认真提出的。在今年的会议上，这一想法得到了大力支持，许多光掩模基础设施公司都参与其中。其中最主要也是最关键的是 ASML（Chritophe），他称采用双倍尺寸掩模对于行业来说是“理所当然的”，ASML 为这一变革提供了巨大的支持。
这对 ASML 来说也意义重大，因为它有助于克服High NA 的芯片尺寸限制。40% 的性能提升本身就值得进行转换。
英特尔的 Mark Phillips 紧随 Christophe Fouquet 之后继续讨论 High NA 主题。英特尔目前在波特兰已安装/运行两个 High NA 系统。
Mark 展示了两个系统的一些非常漂亮的图像，这些图像表明High NA 比标准 EUV 带来的改进可能比预期的要好。由于已经积累了经验，第二个系统的安装速度比第一个更快。
值得注意的是，High NA 所需的所有基础设施都已到位并开始运行。High NA 的光化掩模检查已开始运行。因此，无需进行太多辅助支持工作即可将其投入生产。
有人还向 Mark 询问了 CAR（化学增强型光刻胶）与金属氧化物光刻胶的比较，Mark 说 CAR 目前还不错，但未来某个时候我们可能需要金属氧化物光刻胶。这似乎大大推迟了对金属氧化物光刻胶（如 Lam 的干式光刻胶）的需求，使其更远的未来。这对 JSR 或 Lam 来说都不是好消息。
目标插入点是英特尔 14A 工艺，大约需要 3 年时间，这很可能比预期的要快。
（在会议上，我们听到的有关High NA 的唯一故障是，将巨大的High NA 工具从拖车上运送到波特兰的工厂很困难，因为拖车在极端的重量负荷下弯曲了！）
这种近乎完美的安装/启动对英特尔来说是个好消息，因为这是他们执行计划所需的“胜利”，特别是在最初的 EUV 推出速度缓慢之后.
与最初迅速采用 EUV 相比，台积电以成本为由迟迟未采high NA。我们认为，台积电可能在与 ASML 争夺更有利的条件，这有点像一场定位/谈判游戏。
我们认为他们不会坚持太久，尤其是如果英特尔开始在high NA 工具方面取得领先地位的话。台积电将不得不屈服并顺从。台积电在英特尔倡导的掩模倍增方面也进展缓慢，但最终也会顺从，因为这对他们来说是免费的性能提升。
我们听说 ASML 的 Christophe Fouquet 和英特尔的 Anne Kelleher 在会议开幕前的周日进行了会面......也许是为了谈论他们在 High NA 推出方面的合作关系。
我们认为，对于 KLA 及其长期推迟的 Actinic 掩模检查计划而言，即将出现一些好消息，这是非常需要的。
我们认为这次会议对于high NA EUV的推出和摩尔定律的整体技术进步显然非常积极。
这对英特尔和 ASML 来说显然都是利好消息。这对英特尔来说无疑是好事，因为它需要尽可能多地获得技术优势，而高 NA 可能是该行业目前正在经历的最关键的技术变革。
这对 ASML 来说也是利好消息，因为该公司股价一直不稳定且承受压力，很大程度上是由于中国问题，而中国问题掩盖了高北美市场的更大技术进步。
在更大的半导体市场上，一切都与人工智能、人工智能和人工智能有关......其他的都不重要。
由于一切都围绕人工智能展开，因此后缘仍然较弱。
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