证券之星消息，根据企查查数据显示芯联集成（688469）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体器件及其制作方法”，专利申请号为CN202311763818.4，授权日为2024年5月10日。

专利摘要：本发明提供一种半导体器件及其制作方法，所述制作方法包括：提供包含第一区域与第二区域的衬底；在第二区域的SGT结构及衬底上形成保护层，同时在第一区域的部分衬底上形成台阶氮化层；在第一区域形成栅极，栅极覆盖部分台阶氮化层以及部分衬底；在第一区域与第二区域形成层间介质层，层间介质层覆盖保护层、栅极以及衬底。本发明采用台阶氮化层代替现有技术中的台阶氧化层，氮化层的介电常数大于氧化层的介电常数，在保证栅极与衬底的隔离效果的前提下，氮化层的厚度可以小于氧化层的厚度，采用台阶氮化层从而能够降低台阶的高度，从而能够同时满足SGT与BCD对层间介质层的厚度需求，提高了器件的性能。

今年以来芯联集成新获得专利授权25个，较去年同期增加了25%。结合公司2023年年报财务数据，2023年公司在研发方面投入了15.29亿元，同比增82.25%。

数据来源：企查查

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