①宗豔民表示，天嶽先進是僅少數企業正在從事液相法作爲新技術的研發，但液相法是前沿技術，尚未實現產業化大規模生產； ②上海臨港工廠已具備年產30萬片導電型襯底的能力。
《科創板日報》5月1日訊（記者 吳旭光） “公司車規級碳化硅產品已與英飛凌、博世合作多年。循着天嶽先進供應英飛凌和博世這條線，可以看到近期北京車展上的衆多碳化硅車型已廣泛採用國產碳化硅襯底，如：比亞迪汽車的SiC MOSFET供應商是博世等，小米汽車SU7的SiC MOSFET供應商是英飛凌和博世，保時捷的SiC MOSFET也是博世等。”在今日下午舉行的2023年度業績說明會上，天嶽先進董事長宗豔民表示。
天嶽先進是半絕緣型碳化硅襯底龍頭。由於導電型碳化硅襯底在新能源汽車、光伏等領域存在需求空間，這也被其視爲該公司下一個高潛力產品。
截至2024年一季度，天嶽先進實現營收4.26億元，同比增長120.66%；歸母淨利潤4610萬元，而去年同期虧損。該公司表示，業績快速增長主要因爲其導電型碳化硅產品銷量增加所致。
天嶽先進董事會秘書鍾文慶在業績說明會上介紹，得益於全球能源電氣化和低碳發展驅動，下游電動汽車、新能源、儲能等領域對碳化硅需求強勁。該公司正優化產能佈局，目前以山東濟南、上海臨港兩大工廠爲主。其上海臨港工廠已實現了產品交付，目前以導電型碳化硅襯底產品爲主，未來產能增長主要依託於上海臨港工廠。
針對碳化硅產能佈局情況，鍾文慶進一步表示，2023年該公司上海工廠順利開啓產品交付，同時上海臨港工廠實現了快速的產能產量爬坡。截至目前，上海臨港工廠已經能夠實現年30萬片導電型襯底的能力。接下來，該公司將繼續推進產能提升，臨港工廠的第二階段產能提升已經在規劃中。
《科創板日報》記者注意到，爲解決碳化硅新建產能資金問題，天嶽先進於今年4月11日、12日分別發佈公告稱，該公司擬向金融機構申請不超過30億元的授信額度以及擬發行股票募資3億元，用於擴產。
“目前公司8英寸碳化硅產品已實現批量化銷售。”業績會上，鍾文慶稱，PO募集資金主要投入到臨港工廠建設中，未來公司還將通過多樣化的融資方式繼續擴大生產經營規模，並提高8英寸碳化硅產品的產能，抓住行業快速發展機遇。同時還將繼續加大前瞻性技術的研發投入。
截至2024年一季度，天嶽先進包括短期借款、應付賬款等在內的負債總額爲18.89億元，同期的貨幣資金爲11.55億元，兩者相差7.34億元資金“缺口”。
有業內分析人士對《科創板日報》記者表示，碳化硅行業屬於資本密集型，長晶過程需要大量的長晶爐，“一臺爐子大約需要150萬元左右，比較燒錢，對於一般企業來說是難以承受的”。該公司通過銀行授信、定增等方式，可在一定程度上解決自身資金不足問題。
伴隨着大尺寸碳化硅日益成技術主流，對於公司最新技術進展及核心競爭優勢，也是投資者關注的問題之一。
業績會上，談及公司液相法技術進展及規模化生產情況時，天嶽先進董事長宗豔民表示，在碳化硅單晶生長技術方面，物理氣相傳輸法是目前產業內規模化碳化硅晶體生長方法。液相法SiC長晶技術具有多個優勢，理論上可以製備極高質量晶體。“目前公司是僅少數企業正在從事液相法作爲新技術的研發，但液相法是前沿技術，尚未實現產業化大規模生產。”
“公司在液相法技術上取得了較好的研究進展：2023年公司通過液相法制備出了低缺陷密度的8英寸晶體，屬於業內首創；2024年公司液相法制備的P型襯底獲得行業關注，打開了新的市場應用領域。未來，公司將加大研發，突破技術瓶頸。”宗豔民補充稱。
數據顯示，近年來天嶽先進資產負債率也在不斷升高。截至今年Q1，天嶽先進資產負債率爲26.58%，較2023Q4增加了2.2個百分點，再階段性新高。